Diodes Incorporated Việt Nam | Diodes Incorporated DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7

Hình ảnh hiển thị chỉ mang tính minh họa. Thông số kỹ thuật chính xác nên được tham khảo từ bảng dữ liệu sản phẩm.

Thương hiệu

Diodes Incorporated

Tên sản phẩm

MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26

Model nhà sản xuất

DMG6601LVT-7

Mô tả ngắn sản phẩm

Mosfet Array 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26

Tài liệu kỹ thuật

https://www.diodes.com/assets/Datasheets/DMG6601LVT.pdf Datasheet

Product Attributes

Select
Kiểu Mô tả thông tin
Thương hiệu Diodes Incorporated
Dòng sản phẩm -
Kiểu đóng gói Tape & Reel (TR)
Status Active
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 422pF @ 15V
Power - Max 850mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package TSOT-26

Đơn giá theo VNĐ

Tape & Reel (TR)

QUANTITY UNIT PRICE EXT PRICE
Box Icon 1 13,833 13,833