Diodes Incorporated Việt Nam | Diodes Incorporated DMG6601LVT-7
Hình ảnh hiển thị chỉ mang tính minh họa. Thông số kỹ thuật chính xác nên được tham khảo từ bảng dữ liệu sản phẩm.
Thương hiệu
Diodes Incorporated
Tên sản phẩm
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Model nhà sản xuất
DMG6601LVT-7
Mô tả ngắn sản phẩm
Mosfet Array 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26
Tài liệu kỹ thuật
Product Attributes
|
Kiểu | Mô tả thông tin |
---|---|---|
Thương hiệu | Diodes Incorporated |
|
Dòng sản phẩm | - |
|
Kiểu đóng gói | Tape & Reel (TR) |
|
Status | Active |
|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
|
Configuration | N and P-Channel |
|
FET Feature | Logic Level Gate |
|
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
|
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A, 2.5A |
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3.4A, 10V |
|
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
|
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
|
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 422pF @ 15V |
|
Power - Max | 850mW |
|
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|
Mounting Type | Surface Mount |
|
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
|
Supplier Device Package | TSOT-26 |
|
Sản phẩm liên quan









Sản phẩm cùng nhóm